اخیرا اطلاعات بیشتری در مورد چیپست جدید سامسونگ به بیرون درز کرده است. به نظر می رسد تولید انبوه تراشه های کره ای 2 نانومتری با نسل سوم ترانزیستورهای GAA از سال آینده آغاز شود و سری گلکسی اس 26 را می توان اولین گوشی های هوشمند سامسونگ با تراشه های 2 نانومتری دانست. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.

با کوچکتر شدن تراشه ها، کنترل و هدایت جریان درون آنها دشوارتر می شود، اما با طراحی مجدد ترانزیستورهای GAA، سامسونگ بر افزایش کارایی و بهبود مصرف انرژی تمرکز کرده است. با وجود این ابتکار، سامسونگ همچنان با مشکلاتی در مورد کارایی تراشه های خود مواجه است.

بر اساس این گزارش com wccftech سامسونگ قصد دارد از ترانزیستورهای GAA در تراشه های 2 نانومتری (SF2) خود استفاده کند. این تراشه ها که تولید انبوه آن در سال 2025 آغاز می شود و اگر غول فناوری کره جنوبی کمی خوش شانس باشد، سری گلکسی اس 26 اولین گوشی های 2 نانومتری این شرکت خواهند بود.

سامسونگ هنوز نتوانسته تراشه های مناسب با فناوری 3 نانومتری را به بازار عرضه کند و همین موضوع باعث شده تا مدت ها شرکای این شرکت تمایلی به همکاری نداشته باشند. حالا این شرکت کره ای می خواهد سه نسخه از فناوری 3 نانومتری خود را عرضه کند. درست مانند کاری که TSMC با فناوری 3 نانومتری انجام داد.

راندمان پایین تراشه چالشی است که سامسونگ در راه رسیدن به دقت تولید 2 نانومتری با آن مواجه است.

پیش از این اعلام شده بود که راندمان تراشه‌های GAA سامسونگ که با استفاده از فناوری 3 نانومتری تولید می‌شوند به 20 درصد می‌رسد، اما غول فناوری کره‌ای موفق شد شرایط را تغییر دهد و این عدد را به سه برابر ارزش اصلی برساند، اما سامسونگ همچنان از نظر کارایی از TSMC عقب است. بنابراین جای تعجب نیست که کوالکام و مدیاتک به فناوری شرکت نیمه هادی تایوانی اعتماد بیشتری دارند.

سامسونگ در فرآیند GAA خود از فناوری اختصاصی به نام MBCFET استفاده کرد که همان ترانزیستورهای مورد استفاده در این تراشه ها هستند. اکنون با بهبود این فناوری، شاهد بهبود عملکرد و افزایش کارایی این تراشه ها هستیم.

سامسونگ اکنون قصد دارد نسخه سوم فناوری 3 نانومتری GAA خود را معرفی کند که گفته می‌شود به دلیل کاهش ردپا، بیش از 50 درصد اتلاف انرژی کمتر و یکپارچگی بالاتر را ارائه می‌دهد.

در این رابطه بخوانید:

– اعلام رسمی تاریخ ساخت اولین تراشه های سامسونگ با فناوری 2 و 1.4 نانومتری

سامسونگ قبلاً اعلام کرده بود که فناوری پیشرفته تر SF1.4 نیز دو سال بعد یعنی در سال 2027 وارد تولید خواهد شد و تولید تراشه با فناوری ساخت 1.4 نانومتری سامسونگ آغاز خواهد شد.